近日，卡尔蔡司SMT和ASML的研究人员发表了一篇技术论文。文章中，研究人员研究了数值孔径至少为 0.75 的超数值孔径 EUV 光刻技术，将其视为超越当前 0.55-NA 高数值孔径系统的途径，包括光学架构、分辨率潜力、掩模 3D 效应、偏振以及扩展现有 EUV 生态系统的要求。

以下为文章原文翻译：

数值孔径 (NA) 为 0.55 的 EUV 扫描器近期已上市，目前正朝着大规模生产的方向发展。鉴于 EUV 扫描器（scanner）的产品开发周期较长，NA 0.55 扫描器的后续产品问题已经出现。

我们提出了数值孔径至少为 0.75 的 EUV 扫描仪的概念，称为超数值孔径（Hyper-NA）扫描仪。Hyper NA 应该能够尽可能多地重复利用现有的光刻基础设施，例如掩模、光源和用于制造这些扫描仪的生产设备。

Hyper NA 可以在与目前 NA 0.55 扫描仪几乎相同的体积范围内支持 NA 0.75。现有光源可直接重复使用，并且可以使用现代掩模吸收器，例如low-n或high-k 对于High NA也足够了。NA 的增加，因此引入了Hyper NA，是当前 NA 0.55 扫描仪的更佳替代品，因为它提供了与基础设施兼容的途径。

在本文考虑的标准（与当前的 13.5 纳米 EUV 平台保持连续性、重复使用光源和掩模基础设施、与已建立的扫描仪制造技术兼容以及扫描仪体积变化有限）中，超高数值孔径 (Hyper NA) 是当前 EUV 扫描仪架构最直接的扩展。

迈向Hyper NA 的路线图

图 1概述了蔡司以往所有光刻光学系统。除极少数例外，所有这些光学系统在分辨率-时间图中都呈现出同一条曲线。该曲线的斜率从 2010 年左右开始下降，反映出业界将更高的光学分辨率转化为大批量生产中更小图案尺寸所需的时间越来越长。反之，工具迭代周期的延长也反映了开发这些日益复杂的光学系统所需的投入更大。

图1：蔡司光刻光学器件及其相应光学分辨率的发展历程

通过对该曲线进行直接外推，即可轻松估算下一代工具的性能：它应具有 5 nm 半间距（half-pitch ）的光学分辨率，并且可在10年左右使用，这种 5 纳米的分辨率可以通过将数值孔径 (NA) 增加到至少 0.75 的值来实现，因此被称为“超数值孔径”。

图2：投影镜头有不同的设计类别，也称为折叠几何形状。每种折叠几何形状仅适用于特定的数值孔径 (NA) 值范围。

随着数值孔径从0.25增加到0.75，镜片尺寸也随之增大。从低数值孔径（0.33）到高数值孔径（0.55）的过渡需要新的生产设备来制造更大的镜片，特别是需要新的计量技术来在生产过程中测量镜片的形状。然而，这些变化的影响仅限于镜头制造过程本身，对其他方面的影响甚微。

这与从数值孔径 (NA) 0.33 到 NA 0.55 改变折叠几何形状所带来的后果截然不同：不同的折叠几何形状导致系统尺寸大幅增加，对工具用户及其晶圆厂空间需求造成影响。由于从 NA 0.55 到 NA 0.75 的过渡可以在相同的折叠几何形状下实现，系统尺寸几乎不会增加，如图3所示，这使得工具几乎可以无缝地引入晶圆厂。此外，它还允许集成到未来的 ASML 高产能扫描仪平台，该平台对从 NA 0.33 开始的所有数值孔径都具有通用性。

图3：比较超高数值孔径（NA 0.75）与其前代高数值孔径（NA 0.55）的光路尺寸。NA 值最高可达 0.85 的超高数值孔径设计也已问世；然而，由此导致的系统尺寸增大使得该方案的吸引力有所降低

数值孔径并不局限于 0.75；相反，我们已经设计出了数值孔径高达 0.85 的光学器件。然而，数值孔径的增加显著增大了系统尺寸，从晶圆厂空间和生产成本的角度来看，这种方案的吸引力有所降低。

掩膜基础设施

超高数值孔径 (Hyper NA) 技术允许大部分现有基础设施的复用。对于光源而言，这一点显而易见，但对于基础掩模技术也同样适用。为了解释这一点，我们参考图 4，该图描绘了不同代 EUV 光刻机掩模所处的角度。低数值孔径 (Low NA) 采用同构放大，因此角度分布（角度的正弦值）接近圆形。高数值孔径 (High NA) 和超高数值孔径 (Hyper NA) 采用非变形放大，即水平和垂直方向的放大倍数不同；因此，角度分布接近椭圆形，长宽比约为 1:2。

图4：图中展示了掩模处极紫外光角度分布的对比，以角度空间形式呈现。极紫外光来自照明系统（图中位于中心水平线下方），然后被掩模反射到投影透镜（图中位于中心水平线上方），这解释了图中的镜像结构

挑战在于限制掩模上的最大角度。简单地按 NA 0.55 的情况缩放，最大角度的正弦值会增加 36%。然而，高 NA 概念包含对光学设计和机械布局的改进，可以显著减小最大角度。目前的基准是保持放大倍率在其高 NA 值，即在1/4（for x） 和1/8（for y），但通过改变几个百分点的放大倍率，可以进一步（尽管幅度很小）减小最大视角。

所有这些改进意味着，NA 为 0.75 的超 NA 遇到的最大角度只会增加一 点点 。∼1deg与高数值孔径工具相比，这种提升非常温和，我们预计当前的掩模基础设施可以无需或只需进行极小的改动即可重复使用，并且初步的掩模效应详细模拟也证实了这一点。

Hyper NA的成像优势

超高数值孔径带来的数值孔径增加可以通过两种不同的方式加以利用，我们将用图 5来解释。

图5：比较三种不同数值孔径 (NA) 值下的成像对比度。图 (a) 显示的是无掩模和矢量效应的理想情况，图 (b) 考虑了有限瞳孔填充率的影响，图 (c) 在此基础上还考虑了光刻胶涂抹的影响。

图5(a)展示了在假设条件日益贴近实际的情况下，增大数值孔径（NA）如何改变可用成像对比度的对比情况：成像对比度仅取决于在晶圆处发生干涉的衍射级数；因此，对于每一个NA值，对比度曲线都会出现有限次数的阶跃变化。当引入有限的光瞳填充率时[图5(b)]，这些突变变得平滑，但仍会出现对应于离散NILS值的平台区。如果进一步考虑光刻胶模糊效应[图5(c)]，这些平台区将变得略微倾斜，至少在半间距（half-pitch）较小时是如此。（光刻胶模糊被描述为对空间像进行高斯卷积处理。所使用的模糊参数为2.0 nm（1-sigma）。此处未包含光刻胶厚度效应、薄膜吸收、驻波效应或三维掩模/光刻胶效应。

图5(c)中的两个箭头标示了利用增大NA优势的两种不同途径：一种选择是利用它来缩小印刷结构（在NILS保持不变的前提下）；另一种途径是利用增大的NA在不缩小结构尺寸的情况下提高成像对比度，从而提高大规模生产中的良率。

矢量效应与对偏振照明的需求

在讨论超高数值孔径（hyper-NA）技术时，经常会遇到矢量效应这一课题：当晶圆处的衍射级之间存在较大的角度间隔时（即针对微小结构），只有两种偏振方向中的一种能够产生具有完全对比度的空间像。

如果没有矢量效应（且为便于讨论忽略掩模效应），在采用固定k1值的情况下——即针对每种间距（pitch）适当地调整数值孔径——空间像的对比度将与间距无关（如图6中的红色曲线所示）。然而，当计入矢量效应（这才是实际情况）时，即使在k1保持不变的情况下，对比度也会随节距（pitch）而变化。对于非偏振照明，这表现为图中的绿色曲线。根据具体应用场景，采用偏振照明可以减轻这种对比度损失（见图6中的蓝色曲线）。

图6：当使用非偏振照明时，矢量效应会降低图像对比度。根据具体应用场景，可以通过偏振照明来减轻这种损失

图 7(a)展示了两种最极端的应用场景：线/空和方形触点。相应的照明光瞳如图 7(b)所示。对于照明光瞳的单个极点，相关的衍射级次如图 7(c)所示，并标明了哪些衍射级次会发生干涉。对于方形触点，k1在 EUVL 中采用的值，每个照明极都会对水平和垂直特征边缘成像。

图7：a）相应的结构，（b）相应的照明光瞳，（c）对于一个照明极点（黑色），其他衍射级次（灰色）以及哪些衍射级次可以干涉（蓝色），以及（d）对于每个干涉对，最佳偏振方向（红色）

对于给定的衍射级对，最佳偏振方向与连接这两个级的k矢量正交，图7(d)展示了这种最佳偏振方向。对于线和空，照明光瞳中的两个极点必须如何偏振才能实现这种方向，这一点显而易见。因此，对于这种应用场景，可以完全恢复由矢量效应引起的对比度损失。

对于方形触点，图 7(d)显示存在四种不同的最佳偏振方向，分别对应每对干涉衍射级次。换句话说，照明光瞳中的给定极点需要同时具有四种不同的偏振态。对于最简单的掩模模型，即无偏置的纯振幅基尔霍夫掩模，这四种偏振态的贡献强度相等；因此，不存在优先的偏振态，并且任何偏振选择都不可能优于非偏振照明，如图6所示。如果采用更复杂的掩模模型，这四种偏振态的贡献强度将不再相同；因此，偏振照明会略有优势⁵ ，但这种优势的强度甚至最佳偏振态都将取决于掩模的假设，例如吸收体类型和偏置电压。

对于六边形触点，照明光瞳的每个极点成像的特征方向相差 60 度。因此，可以找到一个合理的偏振方向折衷方案，这解释了使用偏振照明时，该应用场景下图像部分恢复的原因。

即使在偏振照明能够提升对比度的应用场景中，是否实际采用偏振照明仍然是一个值得商榷的问题，因为偏振照明总是会伴随显著的光损耗。明智的做法是选择能够最大程度降低边缘位置误差（EPE）的方案。

图 8显示了当前的 EPE 预算。其中一项重要贡献（最右侧方框）与光学特性无关，例如包含平台误差，与本文讨论无关。另一项较小贡献（中间方框）取决于图像对比度，而图像对比度正是可以通过偏振照明来改善的。

图8：ASML EUV 工具的当前边缘放置误差预算，其中每个框的宽度与其对边缘放置误差的贡献成正比

然而，EPE（边缘放置误差）中占比最大的部分取决于剂量和对比度，这部分误差可明确归因于散粒噪声（shot-noise）。对于任何应用场景，都需要评估在偏振照明下，因光能损失导致的EPE恶化是否会超过因对比度提升而带来的EPE改善。

在下一节讨论的实施方案中，若基于非偏振光源，采用偏振照明将导致显著的透射率损失。因此，必须权衡“矢量效应带来的对比度恢复”与“光子数减少导致的EPE恶化”，从而评估其效益。然而，即便拥有偏振光源，选择偏振照明也并非显而易见：对于密集线条的曝光，偏振光源固然具有优势；但对于用于曝光复杂结构的自由形态偏振（freeform polarization）这一更重要的应用场景，情况则未必如此。我们将在下一节讨论这些取决于具体实施方式的因素。

偏振照明的实现

尽管许多（甚至大多数）应用场景会采用非偏振照明以避免宝贵的EUV光能损失——因此Hyper NA系统也将支持与现有EUV光刻机效率相当的非偏振照明——但我们同时也构想了在Hyper NA系统中实现偏振照明的方案，以满足特定需求。例如，只需对现有的EUV照明系统进行微小改动（即增加线性偏振片），即可在照明光瞳面上实现几乎任意复杂的偏振分布。

为此，我们将简要回顾传统照明系统的布局，参见图9(a)。来自EUV光源的光线经由中间焦点进入照明系统，以照射视场微镜阵列（field facets）。随后，每个视场微镜将光线引导至相应的光瞳微镜（pupil facets），光线再由光瞳微镜传播至掩模版。

图9：（a）传统照明系统允许在不同的照明设置之间切换，这些设置由阴影化的瞳孔面指示。（b）通过插入几个线性偏振片，该照明系统可以扩展以实现自由曲面偏振

顾名思义，光瞳微镜（pupil facets）构成了照明光瞳。通过倾斜视场微镜（field facets），可以照射不同的光瞳微镜（图中以阴影区域标示），从而改变照明光瞳的设置。大量的视场微镜（数百个）及其对应的光瞳微镜确保了光源的任何空间波动都能被平均化，从而在掩模版处的物平面上形成均匀且轮廓清晰的照明。目前最先进的光源技术是基于锡（tin）的等离子体源，能够产生数百瓦功率的非偏振EUV光。

通过在中间像点（intermediate focus）和视场微镜之间放置线性偏振器，此类照明系统可以很容易地扩展为偏振照明系统。这是一个理想的放置位置，因为偏振器可能存在的任何缺陷（例如可能产生阴影的机械支撑结构）都会被后续的照明系统均化。线性偏振器可以由两块反射镜构成，每块反射镜使光线偏转两倍布儒斯特角（Brewster angle）的角度。

利用线性偏振器，不仅可以实现照明光瞳的全局偏振，还能实现具有自由形状偏振特性的照明光瞳（参见图9(b)）。最先进的EUV光刻机主要针对不规则的二维图形，对于此类结构，自由形状光瞳结合自由形状偏振能充分发挥其优势（例如参考文献7所示）。

通过将少量线性偏振器并排放置，不同的视场微镜将呈现不同的偏振状态（如图中两种不同颜色所示）。视场微镜的可倾斜特性使我们能够在整个照明光瞳上任意分布偏振状态，而这正是自由形状偏振的核心所在。

即使采用偏振光源（如自由电子激光器），图9所示的两种配置也不会发生改变。对于以相互平行的线性结构为主的应用场景，全局线性偏振可以消除由矢量效应（vector effect）引起的全部对比度损失。通过适当选择光源的偏振方向，可以在图9(a)所示的装置中实现这种照明条件。

针对不规则二维图案这一更重要的应用场景，可以采用图9(b)所示的装置并配合圆偏振光源。圆偏振的优势在于，能够以相同的效率生成所有所需的偏振态。图9(b)所示的装置也可以使用偏振旋转器或相位延迟器来替代线偏振片，从而有望避免因使用线偏振片而产生的光损耗；然而，目前尚无针对波长为13.5 nm或更短波段的高效偏振旋转器或相位延迟器的可行技术方案。

制造技术

我们刚才展示了，即使需要偏振照明，高数值孔径（NA）照明系统的技术也可复用于超高数值孔径（hyper-NA）系统。这种复用现有技术的能力同样适用于超高NA技术的其他方面，包括其制造与检测技术。如图10所示，在EUV设备生产的十多年间，所实现的成像质量已大幅提升，以至于无需再进行进一步的改进。

图10：新一代low NA 系列扫描仪改善了成像像差和支持的光源功率

这一论述同样适用于超高数值孔径（Hyper NA）技术，因为系统所能容忍的像差量与数值孔径（NA）的具体数值无关：较大的 NA 仅意味着必须在更大的光瞳范围内满足相应的像差要求。相应地，Hyper NA 反射镜的制造标准无需高于低 NA 反射镜；两者的区别在于，Hyper NA 反射镜必须保证更大面积上的表面质量。

如图 10 所示，在最近几代低 NA 技术中，研发重点已从降低像差转向提高支持的光源功率。更高的功率不仅能提升设备产能，还能降低边缘放置误差（EPE），如图 8 所示。这种降低对于Hyper NA 技术至关重要，因为要实现更小尺寸结构的成像，就必须减小边缘放置误差。现有的低 NA 技术能够应对更高的光源功率，结合能更均匀地分布入射功率的大尺寸Hyper NA 反射镜，确保了Hyper NA 技术能够支持预期的光源功率提升。

焦深及其应对方案：Hyper NA 微型曝光工具

提高数值孔径的初衷自然是为了提升分辨率。然而，这往往以牺牲焦深（DoF）为代价。焦深并非一个定义绝对明确的量，因为它高度依赖于具体的结构和照明光瞳条件。因此，图 11 展示了所谓的“瑞利焦深”（Rayleigh depth-of-focus），该参数仅取决于 NA。瑞利焦深对应于最差情况下的理想成像条件（即三光束干涉开始发生的临界点），且未考虑与图案相关的工艺窗口特性、像场平坦度、晶圆形貌、掩模三维效应或特定产品的 EPE 分配情况。此处使用瑞利焦深，仅旨在说明 NA 提升所带来的严峻挑战，并强调改进聚焦控制与使用更薄光刻胶膜的必要性。

图11：增加数值孔径可以提高分辨率，但会降低焦深

焦深（DOF）的减小提高了对扫描仪聚焦控制以及光刻胶膜厚度的要求；作为一种初步估算，焦深误差与光刻胶厚度之和不应超过焦深。由于数值孔径（NA）从 0.55 增加到 0.75 会导致焦深减小约一半，因此一个合理的初步策略是，聚焦控制精度和光刻胶厚度也需要按同样的比例进行优化。

在扫描仪中，聚焦控制预算必须涵盖扫描仪的残余误差（主要由光学和机械缺陷引起）、晶圆高度轮廓的缺陷，以及会缩小重叠工艺窗口的图案相关成像效应。因此，改进聚焦控制是一项涉及扫描仪制造商和用户的工程任务，但目前已有一些可行的改进途径。

除了协同推进聚焦控制技术的改进外，另一项重要任务是光刻胶的改进，特别是实现更薄的光刻胶层。在光刻胶随机性（stochasticity）和抗刻蚀性等诸多考量因素中，关键一点在于光刻胶即便在厚度减半的情况下，仍需具备吸收足够光子的能力。一种可选方案是将金属质量分数从目前的约 1/4 提高到 1/2（，这可能涉及改用干式光刻胶（dry resist）等技术变革 。

合适的微曝光工具（MET）的可用性，可以促进甚至实现必要的光刻胶开发工作：EUVL（极紫外光刻）最初使用的是 NA 为 0.3 的 MET；而目前的 BMET5（一种 NA 为 0.5 的微曝光工具）目前仍被用于光刻胶的开发。

如图 12 所示，微曝光工具是一种双反射镜投影系统，其中两块反射镜均开有通光孔，光路穿过这些孔。（MET 还包含一个图中未示出的照明系统。）在 MET 中使用与扫描曝光机相同的数值孔径（NA），能够复现晶圆表面的实际情况，从而实现符合实际的抗蚀剂显影。不过，MET 无法完全复现扫描曝光机的角度分布：由于 MET 在掩模版处的入射角较小，抗蚀剂显影过程不会受到掩模版潜在缺陷的干扰。

图12：不同数值孔径的微曝光工具（MET）布局比较

比较不同数值孔径（NA）下的微曝光工具（MET）——参见图12——有助于深入理解“超高数值孔径（Hyper NA）MET”所面临的挑战。以NA为0.3的原始MET为例，若将NA提高至0.75，上反射镜的尺寸便会随之增大。

评估MET实用性的一个重要指标是其遮挡（obscuration）程度：反射镜的功能是反射入射光，但由于每块反射镜中心都设有通光孔，部分入射光不可避免地会发生损失。衡量这一特性的关键参数是通光孔直径与反射镜直径之比。

在合理的系统参数设定下，下反射镜往往是限制系统设计的瓶颈所在。增大下反射镜直径的方法是将掩模版（reticle）远离光学系统的其余部分；而减小通光孔尺寸的方法则是将反射镜面移近晶圆。

我们开发了一种用于高数值孔径（NA）为0.75的超hyper NA MET 的概念设计。在1米的轨道长度下，它可提供可用的视场大小为150×15μm，1/8 的同构放大倍率意味着现有掩模足以用于印刷半间距（half-pitch）低至 5 nm 的结构，从而允许在能够刻画更精细结构的掩模写入设备广泛普及之前，先行开展针对超高数值孔径（Hyper-NA）光刻的光刻胶开发工作。

利用光学制造技术的进步，我们可以实现 30% 的线性遮挡率，即系统入瞳面积的 9% 会被反射镜上的孔径遮挡。与现有的 BMET5 系统（线性遮挡率 50%，面积遮挡率 25%）相比，这是一项改进。

作为提升分辨率手段的数值孔径（NA）与波长

光刻投影系统的分辨率可以通过著名的公式 CD = k1·λ/NA 来描述，该公式涉及波长（λ）和数值孔径（NA）的值。图 1 所示的光刻分辨率演变历程，对应于图 13 中描绘的 NA 增大与波长缩短的历程。（k1 值在过去也有所改善——例如，与前代系统相比，3400 系统的入瞳填充率有所降低——但图 13 中的图示并未体现 k1 值的变化。）

图13：通过增大数值孔径来提高分辨率，直至无法进一步增大为止；此时，必须改用更短的波长。（对于浸没式系统，此处展示的是几何数值孔径，即浸没介质内部最大角度的正弦值；空心圆点代表原型系统，旨在让客户能够提前体验未来的波长技术。）

过去，人们不断提高数值孔径（NA），直至无法进一步提升为止。NA 的最大可行值取决于技术能力；随着技术能力的进步，ArF 光刻技术所采用的临界点 NA 值，要高于 g-line 和 i-line 光刻技术时期的数值。（以 1000 系列镜头为例，得益于为 ArF 系统开发的改进技术，KrF 技术得以重新应用；因此，在从 KrF 过渡到 ArF 几年后，将 NA 从 800 提升至 1000 变得切实可行。）

在转向更短波长之前，之所以尽可能提高数值孔径，是因为这样可以复用现有的基础设施。换言之，相比缩短波长，优先提高 NA 的主要考量在于经济效益；这种经济考量在过去几十年间始终未变。

“超高数值孔径”（Hyper NA）正是这一策略的直接延伸。对于波长λ=13.5nm 的 EUV（极紫外）光刻而言，进一步提高数值孔径依然可行。第 1 节（特别是图 3）已证实了这种可行性。因此，提高 NA（即采用 Hyper NA 技术）具有经济优势，因为它允许复用现有的光刻基础设施。尽管焦深（DOF）的减小需要开发新型光刻胶，但第 7 节中提出的微曝光工具（MET）为实现这些必要的技术进步提供了途径。

现有的掩模基础设施也可复用，这得益于第 2 节所示的掩模角度的微小变化。这种可复用性不仅适用于掩模制造，也适用于掩模的质量验证。现有的 EUV 等离子体源可直接沿用。虽然降低边缘放置误差（EPE）中的散粒噪声贡献（参见图 8）可能需要在未来提高 EUV 光源功率，但 Hyper NA 系统已为此做好了准备。

此外，如图 10 所示，制造 Hyper NA 反射镜所需的生产技术也已具备。因此，Hyper-NA（超高数值孔径）技术是光刻技术发展路线图最直接的延续，因为它允许复用现有的基础设施。展望Hyper-NA之后的更长远未来，显而易见，若数值孔径（NA）在Hyper-NA所预期的0.75至0.85这一范围基础上进一步提升，将不可避免地触及物理极限。因此，对于Hyper-NA之后的下一代光刻设备而言，缩短波长很可能成为必然选择。

关于Hyper-NA之后的设备代际，波长的选择尚无定论：如图14所示，存在多个有望实现足够反射率的波长区间，例如约6.7纳米（nm）的波长以及“水窗”（water window）波段。目前，针对多层膜反射镜、光源、光刻胶及掩模版等基础设施的研发工作正在推进，以使其技术日趋成熟；最终的波长选择将综合考量上述所有因素。然而，目前这些工作仍处于学术研究阶段，尚未进入产业化进程。

图14：不同的材料组合可在不同波长下实现良好的反射率。黑点标示了理论上可达到的反射率，并列出了相应的材料组合。（数据基于 LNBL 散射因子计算得出，假设为包含 2000 个周期的理想多层结构。尽管某些材料组合在理论上能提供高反射率，但出于实际考量，针对特定波长，采用其他材料组合可能更为适宜。）

结论

本文将“Hyper NA”（超高数值孔径）定义为数值孔径（NA）至少为 0.75 的 EUV 光刻技术，它是现有 EUV 光刻机技术路线图的演进式扩展。基于本文考量的各项标准——包括光刻机可行性、光源复用性、掩模生态系统的连续性、光学元件制造的连续性、设备占用空间（volume-claim）增幅的限制以及近期生态系统的就绪度——在 13.5 nm 波长下实现 0.75 的数值孔径，是继当前高数值孔径（High NA）EUV 技术之后的下一个扩展方向。

实现 0.75 的数值孔径时，光刻机的占用空间与当前一代高数值孔径光刻机相比几乎保持不变。现有的 EUV 等离子体光源可直接复用，且 Hyper NA 光学系统能够适配 ASML 未来的高产能光刻机平台，从而最大程度地实现各类 EUV 系统间的通用性。此外，蔡司（Zeiss）现有的 EUV 反射镜制造质量已满足 Hyper NA 的要求，因此无需进一步改进制造工艺。从供应商的角度来看，上述所有因素都降低了技术导入的难度。

Hyper NA 面临的主要挑战在于可用焦深（DOF）的缩减；除了需要使用更薄的光刻胶外，还必须改进光刻机的聚焦控制、晶圆平坦度以及工艺控制能力。针对这一尚待解决的问题，我们建议开发微型曝光工具（MET），以推动必要的光刻胶研发工作。

本文来自微信公众号“半导体行业观察”（ID：icbank），作者：ASML&蔡司