火星财经消息，6 月 22 日，Critini Research 分析师 Jukan 在社交媒体上引用韩国 IT 科技媒体《电子新闻》内容称，韩国 6 月存储半导体出口有望创历史新高。 报道称，6 月存储半导体出口延续强劲势头，AI 需求与供应短缺推动出口额和单价同步飙升。HBM 短缺的溢出效应蔓延至通用 DRAM、NAND 和 SSD，出口有望超越 5 月创下的 371.6 亿美元历史纪录。 据韩国关税厅 6 月 22 日数据，6 月 1 日至 20 日主要存储产品出口额已超 230 亿美元，达到 5 月全月的 60% 以上。考虑到近期各品类增长势头，6 月总出口预计达 380 亿至 420 亿美元区间，再创新高。月末出货集中通常进一步推高出口量。 6 月所有存储品类均呈现出口额与单价同步大涨，反映 AI 存储超级周期的结构性扩张。其中 HBM（多芯片封装）出口额环比猛增 51%，英伟达等大厂持续投资 AI 数据中心，SK 海力士主导的 HBM3E 和 HBM4 供应持续紧张。 晶圆产能向 HBM 集中导致通用 DRAM 供应减少，其单价已涨至去年同期 2 至 3 倍，加之 PC 和手机需求回暖，出口额大幅上升。AI 推理服务器建设扩大推动 NAND 和 SSD 需求爆发，两大品类环比分别增长 25% 至 28%。 存储半导体在整体半导体出口中占比从 70% 升至 90%，本月存储与系统半导体合计出口达 255 亿美元，6 月半导体总出口预计落在 420 亿至 460 亿美元区间。 随着业绩强劲，券商上调存储企业盈利预测。韩华投资证券研究员分析称，韩国存储行业正依靠长期供应协议和 HBM 两大武器克服短板，未来即使行业下行，营业利润也不会像过去那样严重下滑。